4-gigabajtowa karta Memory Stick autorstwa Sony
10 lipca 2006, 10:09Sony poinformowało o wyprodukowaniu swojej najbardziej pojemnej karty pamięci Memory Stick. Urządzenie Memory Stick PRO Duo pozwala na przechowywanie 4 gigabajtów danych.
Niepokonane HDD
28 października 2009, 12:07Były wiceprezes ds. badawczych w Seagate Technology, profesor Mark Kryder z Carnegie Mellon Univeristy, założyciel Data Storage System Center oraz jego student Chang Soo Kim przeprowadzili studium nt. przyszłości technologii przechowywania danych. W jego ramach przebadali 13 nieulotnych technologii przechowywania informacji, które są postrzegane jako możliwi następcy dysków twardych (HDD).
FeRAM bliżej upowszechnienia
21 kwietnia 2009, 15:39Amerykańscy naukowcy dokonali ważnego kroku na drodze do opracowania wydajnych, wytrzymałych, nieulotnych pamięci RAM. Rozpowszechnienie się tanich kości tego typu pozwoliłoby np. na błyskawiczne uruchomienie komputera czy rezygnację z tradycyjnego dysku twardego, gdyż dane przechowywane byłyby w układach pamięci.
FeTRAM, kolejny konkurent dla pamięci flash
3 października 2011, 15:54Na Purdue University powstaje nowy rodzaj układów pamięci, które mają być szybsze od obecnie istniejących rozwiązań, a jednocześnie zużywać znacznie mniej energii niż kości flash. Pamięci łączą krzemowe nanokable z polimerem „ferroelektrycznym", który zmienia polaryzację pod wpływem pola elektrycznego.
Nieulotne pamięci FRAM dla przemysłu motoryzacyjnego
3 lutego 2017, 06:25Fujitsu przystosowało nowy rodzaj pamięci nieulotnej FRAM (Ferroelectric Random-Access Memory) do potrzeb rynku motoryzacyjnego. Japoński koncern poinformował, że jego nowy chip MB85RS256TY pracuje w pełnym zakresie temperatur wymaganych przez przemysł motoryzacyjny (od 125 do -40 stopni Celsjusza)
Szybsze karty pamięci
28 kwietnia 2007, 07:45Memory Stick PRO-HG to nowa karta pamięci produkcji Sony i, jednocześnie, nowy format dla tych urządzeń. W sklepach znajdzie się ona w sierpniu.
Dual_EC_DRGB usunięty z listy rekomendacji NIST
23 kwietnia 2014, 09:43Amerykański NIST (Narodowy Instytut Standardów i Technologii) usunął z listy rekomendacji generator liczb pseudolosowych Dual_EC_DRGB (Dual Elliptic Curve Deterministic Random Bit Generator). To domyślny generator używany w popularnym narzędziu BSAFE.
Wyjątkowy układ scalony
17 lipca 2006, 11:32HP poinformowało o wyprodukowaniu tak małego układu scalonego służącego do nawiązywania łączności bezprzewodowej, że zmieści on się do niemal każdego urządzenia. Obecnie nie istnieje równie mały chip, który charakteryzowałby się równie dużą pojemnością pamięci i byłby w stanie równie szybko odbierać i wysyłać dane.
Powstała pamięć RRAM?
10 lutego 2009, 11:55Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).
Początek produkcji pamięci zmiennofazowych
22 września 2009, 13:45Samsung rozpoczął produkcję zmiennofazowych pamięci RAM (PRAM). Układy o pojemności 512 megabitów przeznaczone są dla telefonów komórkowych i innych niewielkich urządzeń zasilanych bateriami.
« poprzednia strona następna strona » 1 2 3 4 5 6 7 …
